商品名稱:IPD60R360PFD7S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPD60R360PFD7S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO252-3-344
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPD60R360PFD7S功率MOSFET是一項(xiàng)革命性高壓功率MOSFET技術(shù),采用超結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì),由英飛凌首創(chuàng)。最新的CoolMOS? PFD7是一個(gè)經(jīng)過優(yōu)化的平臺(tái),根據(jù)消費(fèi)市場(chǎng)的目標(biāo)成本敏感型應(yīng)用而量身定制,例如充電器、適配器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和照明等。該全新系列不但具有快速開關(guān)超級(jí)結(jié)MOSFET的所有優(yōu)勢(shì),而且性價(jià)比和易用性極高。該技術(shù)達(dá)到最高效率標(biāo)準(zhǔn),并支持高功率密度,從而助力客戶實(shí)現(xiàn)超薄設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):10A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):360 毫歐 @ 2.9A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 140μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):12.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):534 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):43W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3-344
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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ICE5AR0680BZS是英飛凌最新一代的固定頻率 CoolSET? 產(chǎn)品,具有高性能和集成 800V CoolMOS? 超結(jié) MOSFET P7的功能?。該產(chǎn)品采用 DIP-7 封裝,符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn),最大開關(guān)頻率為100kHz,適用于通用寬域輸入(85~300VAC)的 DCM 設(shè)計(jì),功率輸出高達(dá)39W。它具有過電壓保護(hù)…ICE5GR1680AG
ICE5GR1680AG 是由 Infineon 推出的一款最新第5代固定頻率 CoolSET? 控制器,集成了最新一代800V CoolMOS? 超結(jié) MOSFET P7,采用 DSO-12 封裝??。該器件具有以下主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):125kHz 最大開關(guān)頻率,帶有 800V 集成 MOSFET采用通用寬域輸入 (85~300VAC) DCM 設(shè)計(jì),…電話咨詢:86-755-83294757
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