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IPW65R190CFD7A MOSFET可滿足電動汽車應用的要求，例如車載充電器、HV-LV直流-直流轉換器和輔助電源。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET提高了宇宙輻射穩(wěn)健性，因此可以在可靠性與前幾代產品和其他市場產品相當的情況下耐受更高的電池電壓。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET可確保硬開關和諧振開關拓撲的高效率，特別是在輕負載條件下。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：190 毫歐 @ 6.4A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 320μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1291 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：77W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

等級：汽車級

資質：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應用

● 車載充電器

● HV-LV直流-直流轉換器

● 輔助電源

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