商品名稱:BSZ146N10LS5
數(shù)據(jù)手冊:BSZ146N10LS5.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BSZ146N10LS5 是 OptiMOS? 5 邏輯級功率 MOSFET,非常適合無線充電、適配器和電信應(yīng)用。該器件的低柵極電荷 (Q g) 可在不影響傳導損耗的情況下降低開關(guān)損耗。
特性概述
小型封裝中的低 R DS(on)
低柵極電荷
較低的輸出電荷
邏輯電平兼容性
優(yōu)勢
更高的功率密度設(shè)計
開關(guān)頻率更高
只要有 5V 電源,就能減少零件數(shù)量
直接由微控制器驅(qū)動(開關(guān)速度慢)
降低系統(tǒng)成本
潛在應(yīng)用
無線充電
適配器
電信
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NCV33202VDR2G
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AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲的性能。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
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