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BUK7V4R2-40HX  40V 半橋MOSFET采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝，寄生電感降低60%，散熱性能更高。該MOSFET消除了PCB軌道，支持在生產(chǎn)過程中進行簡單的自動光學檢測 (AOI)，因此PCB面積比雙MOSFET三相電機控制拓撲小30%。

規(guī)格

技術：MOSFET（金屬氧化物）

配置：2 個 N 通道（半橋）

FET 功能：-

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：98A（Ta）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.2 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：37nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2590pF @ 25V

功率 - 最大值：85W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-1205，8-LFPAK56

供應商器件封裝：LFPAK56D

基本產(chǎn)品編號：BUK7V4

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