商品名稱:IPB055N08NF2S
數(shù)據(jù)手冊:IPB055N08NF2S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPB055N08NF2S 2功率MOSFET是N溝道、正常電平、100%經(jīng)過雪崩測試的MOSFET。英飛凌StrongIRFET 2 MOSFET優(yōu)化用于各種應用。這些MOSFET的VDS范圍為80V至100V,RDS(on)范圍為2.4mΩ至8.2mΩ。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):94A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5.5 毫歐 @ 60A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 55μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):54 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2500 pF @ 40 V
功率耗散(最大值):107W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-TO263-3
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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S70GL02GS12FHIV10 是一款 2Gb(256M 8 / 128M 16)并行NOR閃存,采用 64-FBGA封裝(1113mm),適用于高可靠性嵌入式存儲應用。S29GL01GT11FHIV10
S29GL01GT11FHIV10 是一款高性能的 NOR 閃存存儲器,由英飛凌生產(chǎn)。CYT3DLABFBQ1AESGS
CYT3DLABFBQ1AESGS是一款專為儀表盤和抬頭顯示器 (HUD) 等汽車應用設計的32位微控制器,屬于TRAVEO? T2G CYT3DL系列MCU。以下是其關鍵特性:Arm Cortex-M7 和 Arm Cortex-M0+最高 4 MB flash、384 KB SRAMMIPI2.5 D WVGA GFX、2 MB VRAM1x視頻輸入、2x視頻輸出、HYPER…電話咨詢:86-755-83294757
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