商品名稱:IQE046N08LM5SC
數(shù)據(jù)手冊(cè):IQE046N08LM5SC.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-WHSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IQE046N08LM5SC的設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,這些器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù),經(jīng)優(yōu)化可達(dá)到并超過能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應(yīng)用包括計(jì)算領(lǐng)域中的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):15.6A(Ta),99A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.6 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.3V @ 47μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):38 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3250 pF @ 40 V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),100W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-WHSON-8
封裝/外殼:8-PowerWDFN
應(yīng)用
● 臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器r
● 單相和多相PoL
● 筆記本電腦中的CPU/GPU電壓調(diào)節(jié)
● 高功率密度電壓調(diào)節(jié)器
● O形環(huán)
● 電子保險(xiǎn)絲
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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