商品名稱:IPP040N06NF2S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPP040N06NF2S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPP040N06NF2S 是采用 TO-220 封裝的 StrongIRFET? 2 60V 單N通道功率MOSFET器件,具備僅為 4.0 mΩ 的極低 RDS(on),該MOSFET優(yōu)化用于各種應(yīng)用:如電源管理 (SMPS) 、適配器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池供電應(yīng)用、電池管理和不間斷電源 (UPS)。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):80A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.3V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):44 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3375 pF @ 30 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3W(Ta),107W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3
封裝/外殼:TO-220-3
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開(kāi)關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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