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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:NVMJS1D5N04CLTWG

商品名稱:NVMJS1D5N04CLTWG

數(shù)據(jù)手冊:NVMJS1D5N04CLTWG.PDF

品牌:ON

年份:23+

封裝:8-LFPAK

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NVMJS1D5N04CLTWG
封裝
8-LFPAK
描述
表面貼裝型 N 通道 40 V 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 8-LFPAK

產(chǎn)品描述

NVMJS1D5N04CLTWG是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的單N通道功率MOSFET,占位面積小 (5mm x 6mm),非常適合用于緊湊型設(shè)計(jì)。這些器件具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻,可最大限度地降低導(dǎo)通損耗,并具有低柵極電荷和電容,可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。這些汽車級功率MOSFET不含鉛,符合RoHS指令,具有較寬的工作溫度范圍(-55°C至175°)。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):38A(Ta),200A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.4 毫歐 @ 50A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):70 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):4300 pF @ 20 V

功率耗散(最大值):3.8W(Ta),110W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:8-LFPAK

封裝/外殼:SOT-1205,8-LFPAK56


應(yīng)用

● 汽車

● 不間斷電源

● 太陽能逆變器

● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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