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IPB018N06NF2S StrongIRFET?2功率MOSFET 60V具有1.8 mOhm的低導通電阻（RDS），該MOSFET優(yōu)化用于各種應(yīng)用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：34A（Ta），187A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.8 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 129μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：162 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7300 pF @ 30 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），188W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

基本產(chǎn)品編號：IPB018

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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