商品名稱:AIMW120R035M1HXKSA1
數(shù)據(jù)手冊:AIMW120R035M1HXKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AIMW120R035M1HXKSA1提供52A的漏極電流 (ID) 和35mΩ的導(dǎo)通電阻,Infineon車規(guī)級1200V碳化硅溝槽型MOSFET專為車載充電器/PFC和升壓器/DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計。Infineon Technologies CoolSiC?車規(guī)級1200V碳化硅溝槽型MOSFET具有更高的功率密度、更高的頻率和更高的效率。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):52A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):46 毫歐 @ 25A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 10mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):59 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+23V,-7V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2130 pF @ 800 V
功率耗散(最大值):228W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3-41
封裝/外殼:TO-247-3
應(yīng)用
● 車載充電器/PFC
● 升壓器/DC-DC轉(zhuǎn)換器
● 輔助逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強型小信號 MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級別的負(fù)載開關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動而設(shè)計。S29GL01GT10FHI010
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BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機驅(qū)動而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計。電話咨詢:86-755-83294757
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