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NTMYS025N06CLTWG 是 60 V、27.5 m、21 A 功率 MOSFET 單 N 溝道晶體管，工業(yè)功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封裝，專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計，具有高散熱性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：8.5A（Ta），21A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：27.5 毫歐 @ 7.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 13μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：5.8 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：330 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），24W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

產(chǎn)品特性

小尺寸（5x6 毫米），適合緊湊型設(shè)計

低 RDS(on)，將傳導損耗降至最低

低 QG 和電容，將驅(qū)動器損耗降至最低

LFPAK4 封裝，行業(yè)標準

這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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