商品名稱:NCV21801SQ3T2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV21801SQ3T2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-TSSOP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV21801SQ3T2G是具有低輸入失調(diào)電壓和低失調(diào)的精密運(yùn)算放大器隨時間和溫度漂移。共模電壓范圍超出供電軌道100毫伏,這使得它適用于高側(cè)和低側(cè)電流傳感應(yīng)用。具有單通道、雙通道和四通道可供選擇配置。所有版本都指定在- 40°C到+ 125°C。NCV前綴部件是汽車一級合格和提供溫度范圍從- 40°C到+ 150°C。
產(chǎn)品屬性
放大器類型:零漂移
電路數(shù):1
輸出類型:滿擺幅
壓擺率:0.7V/μs
增益帶寬積:1.5 MHz
電流 - 輸入偏置:60 pA
電壓 - 輸入補(bǔ)償:2 μV
電流 - 供電:75μA
電流 - 輸出/通道:38 mA
電壓 - 跨度(最小值):1.8 V
電壓 - 跨度(最大值):5.5 V
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供應(yīng)商器件封裝:SC-88A(SC-70-5/SOT-353)
應(yīng)用
● 高側(cè)電流傳感
● 低側(cè)電流檢測
● 差分放大器
● 儀表放大器
● 電源管理
● 汽車
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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