商品名稱:FUSB15101MNTWG
數(shù)據(jù)手冊:FUSB15101MNTWG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:20-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
FUSB15101MNTWG 是一款高度集成的 USB Power Delivery (PD) 電源控制器,可控制 AC-DC 適配器二次側(cè)的光耦合器或 DC-DC 端口電源穩(wěn)壓器。
功能特點(diǎn)
32 位 Arm Cortex-M0+ 處理器
32 KB OTP(一次性可編程)程序存儲器
支持 PPS 的 USB PD 3.1
電源管理單元,VIN 支持 3.3 V 至 24 V
集成 VCONN 電源,用于偵測 E-Marked 電纜
空閑和睡眠模式,滿足 CoC 和 DoE 要求
外設(shè)
USB Type-C / PD 檢測和通信層
用于負(fù)載開關(guān)控制的 VBUS NMOS 柵極驅(qū)動(dòng)器
VBUS 放電功能
可編程恒壓和恒流控制
兩個(gè) 10 位 DAC,用于精確的電壓和電流控制
兩個(gè) NTC 溫度測量
用于電壓、電流和溫度報(bào)告的 10 位 ADC
兩個(gè)通用 32 位定時(shí)器
看門狗定時(shí)器 (WDT)
I2C 主/從外設(shè)
D+/- 引腳上的 UART
輸出故障保護(hù)
過壓
欠壓
過流
過溫保護(hù)
應(yīng)用
用于移動(dòng)電話、平板電腦和計(jì)算設(shè)備的壁式充電器
符合 AC-DC USB PD 標(biāo)準(zhǔn)的適配器
電源箱
點(diǎn)煙器適配器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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