商品名稱:NXV04V120DB1
數(shù)據(jù)手冊:NXV04V120DB1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:APM-19
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NXV04V120DB1是一款40V低Rds(on)的車規(guī)級功率集成模塊,具有專為汽車12V電機逆變器系統(tǒng)優(yōu)化的三相MOSFET橋,包括一個用于電流感應的精密分流電阻,一個用于溫度感應的NTC,以及一個RC緩沖電路。這款模塊采用了安森美的溝槽MOSFET技術(shù),為系統(tǒng)提供了一個非常緊湊的解決方案。100%無鉛,符合RoHS和UL要求。
特點
用于變速電機驅(qū)動的三相逆變器電橋
用于低 EMI 的 RC 緩沖器
電流感應和溫度感應
電氣隔離 DBC 基底面,熱阻低
設(shè)計緊湊,模塊總電阻低
模塊序列化實現(xiàn)完全可追溯性
通過 AEC 認證 - AQG324
支持 PPAP
該器件符合無鉛、RoHS 和 UL94-V0 標準
規(guī)格
類型: MOSFET
配置: 三相反相器
電流: 160 A
電壓 - 隔離: 2500Vrms
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: 19-PowerDIP 模塊(1.480",37.60mm)
應用
12 V 電機控制
電動和電動液壓動力轉(zhuǎn)向
電動水泵、油泵和風扇
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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