商品名稱:NCV6323BMTAAWTBG
數(shù)據(jù)手冊:NCV6323BMTAAWTBG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-WFDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV6323BMTAAWTBG是同步降壓轉(zhuǎn)換器,經(jīng)過優(yōu)化,可為不同的便攜式應(yīng)用子系統(tǒng)供電。經(jīng)過優(yōu)化,可為便攜式應(yīng)用的不同子系統(tǒng)供電由單節(jié)鋰離子電池或三節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫電池供電的不同子系統(tǒng)。該器件可在外部可調(diào)電壓上提供高達(dá) 2 A 的電流??烧{(diào)電壓。工作頻率為 3 MHz,可采用小型電感器和電容器。輸入電源電壓前饋控制,以應(yīng)對寬輸入電壓范圍。同步整流提高了系統(tǒng)效率。NCV6323BMTAAWTBG采用節(jié)省空間、外形小巧的 2.0 x 2.0 x 0.75 mm WDFN8 封裝或 WDFN8 封裝。0.75 mm 的 WDFN8 封裝或 WDFNW8 可濕性側(cè)面封裝。
產(chǎn)品屬性
功能:降壓
輸出配置:正
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輸出類型:可調(diào)式
輸出數(shù):1
電壓 - 輸入(最小值):2.5V
電壓 - 輸入(最大值):5.5V
電壓 - 輸出(最小值/固定):0.6V
電壓 - 輸出(最大值):5.5V
電流 - 輸出:2A
頻率 - 開關(guān):3MHz
同步整流器:是
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
封裝/外殼:8-WFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:8-WDFNW(2x2)
應(yīng)用
● 手機(jī)、智能手機(jī)和掌上電腦
● 便攜式媒體播放器
● 靜態(tài)數(shù)碼相機(jī)
● 無線和 DSL 調(diào)制解調(diào)器
● USB 供電設(shè)備
● 負(fù)載點
● 游戲和娛樂系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Maxim
TDFN-12
2000
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)(固定) 1V(3.3V) 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
Maxim
TDFN-12
1000
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)(固定) 3V(3.6V) 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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